Leave Your Message
Innovativae materiae refractariae pro fornacibus ferrosilicon efficientibus
Categoriae novae
    Featured News

    Innovativae materiae refractariae pro fornacibus ferrosilicon efficientibus

    2024-05-17

    WeChat picture_20240318112102.jpg

    Fornacibus ferreisilicon maxime faciunt ferrosilicon, ferromanganesum, ferrochromium, ferrotungsten, mixturas pii manganesas. Modus productionis continua est pastio et scoria ferri intermissa. Fornax electrica industrialis est quae continue operatur.


    Fornax ferrosilicon est summus fornax industria-consumens genus, quod industria consummatio et output augere potest, ut vita fornacis diu adhiberi possit. Hoc tantum modo costs productionis incepti possunt et residua emissiones pollutivae extenuantur. Sequentia inducit varias reactiones fornaces ferrosilicon temperaturas. Usus materiae refractoriae diversarum materiarum tantum referendi est.


    Nova area materiae preheating: Accensus supremus circiter 500mm est, cum temperies 500℃-1000℃, summus aeris fluxus temperatus, caloris conductio electrode, superficiei crimen combustio, et calor resistentia currenti praecepti distributio. Temperatura huius partis alia est, et fictilis laterculis saepta.


    Zona preheating: Postquam aqua evanescit, crimen sensim deorsum movebitur et praeambula mutationes in forma crystalli silicae in zona preheating, in volumen dilatabitur, ac deinde resiliunt vel rumpuntur. Temperatura in hac sectione est circiter 1300°C. Alta laterum alumina.


    Aream Sinentes: Testa uascula est. Temperatura est inter 1500℃ et 1700℃. Liquida Pii et ferri generantur et stillantur in stagnum liquefactum. Sentering et gas permeabilitas fornacis materia pauperes sunt. Caudices frangi debent ad evacuationem gasi restituendam et resistentiam augendam. Temperatus in hac provincia est altus. Valde mordax. Constructum est cum carbonis semi-graphitico - lateribus carbonisis pii.


    Reductio zonae: magna vis intensa zonae chemicae materialis reactionis. Temperies zonae uasae est inter MDCCL°C et MM°C. Pars inferior cum arcui cavi coniungitur et maxime adhibetur ad compositionem SIC, generationem ferrosilicon, reactionem liquoris Si2O cum C et Si, etc. areae summus temperaturae componi debent cum laterculis carbonis semi-graphitis assatis. .


    Zona arcus: In area cavitatis in fundo electrode, siccus supra MM°C est. Temperatura in hac provincia est summa caliditas in tota fornace et fons maximae caliditatis distributio in toto fornace corporis. Cum igitur leviter electronico inseritur, caliditas area sursum movetur, et fornax ima temperatura slagorum Minimum fusilis minus emittitur, fornacem falsum fundum efformans, foramen sonum sursum movens causans. Quidam fornax falsus fundum habet aliquas utilitates ad fornacem muniendam. Fere profunditas insertio electronici multum ad diametrum electrodis pertinet. Insertio generalis ad 400mm-500mm ab imo fornacis servanda debet. Haec pars altiorem temperiem habet et cum semi-graphitis lateribus carbonibus assatis aedificatur.

    Stratum permanens e lateribus phosphatis concretis vel fictilibus conficitur. Fornax fornax ejici potest cum corundum castables vel prae- positum cum lateribus carbide Pii.


    In summa, pro magnitudine, temperie, et corrosione graduum fornacis ferrosilicon, opportuni, environmentally- amicae, ac diversis materiis laterum refractoriis et castellis, ad oblinendum seligi debet.